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日本發現可研製磁光記憶體之新材料 / 日經產業新聞 2012.01.12

東京大學大越慎一教授等人所組成的研究小組日前開發出以鈷 (Cobalt) 、鎢 (Tungsten)、有機物間二氮雜苯 (Pyrimidin) 等元素立體合成之新材料,在攝氏零下225度的極低溫冷卻狀態時,以785奈米尺波長的光照射之,會形成強力磁石,而當溫度回升至零下103度時,磁性則自然消失。實驗中已確認:即使多次反覆執行光照射與提高溫度的動作,該切換的性質仍存在。

該新材料轉變成磁石時,其磁力27千厄斯特 (kOe) ,為現有光碟材料的9倍,意味記憶容量可提高9倍以上,在光控制素材中擁有最高等級的性能。由於新材料磁性強,即使微粒亦具磁石功能,若將微粒以高密度方式排列,則可成為以光紀錄情報的磁光記憶。此外,若可找出當磁性消失時、以光照射提升溫度的方法,便可僅以光線控制並切換磁性。該研究團隊日後將重新設計材料,短期目標為設定在零下196度時可切換磁性,越接近室溫即越接近實用化,而長期目標則期望10年內在室溫下可操控其性質。