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[半導體][國際合作] 台灣半導體製程大突破 登《自然》期刊

[半導體][國際合作] 台灣半導體製程大突破 登《自然》期刊(英文版

《中央廣播電台》、《台灣醒報》&《聯合新聞網》(2010/11/17)台灣參與國際團隊研究改善半導體製程有重大突破,清大研究團隊17日表示,利用磊晶層轉移技術,成功將各種化合物半導體材料轉移到矽基基板上,實現了化合物半導體材料絕緣層披覆技術,未來可應用於光傳輸相關研究上。而這項重要的研究成果,登上了國際知名的《自然》期刊上。

台灣的矽基半導體幾占全球六成以上市場。台積電日前宣布40奈米製程正式量產後,正積極朝向32奈米量產開發,甚至遙指22奈米技術開發,為的就是繼續維持競爭優勢。

然而,矽基半導體製程技術已開始面臨製程微縮極限的瓶頸,在絕緣上覆矽是最可行的解決方法之一,但如何讓化合物半導體整合於現階段矽製程技術,是多年來半導體業界關注的首要議題。

為克服此一挑戰,國立清華大學材料系助理教授闕郁倫的團隊,與美國加州大學柏克萊分校電子工程與電腦科學系副教授傑維(Ali Javey)團隊,以及美國新墨西哥大學電子與電腦工程系教授克利希納(Sanjay Krishna)團隊共同合作,利用磊晶層轉移技術,成功將各種化合物半導體材料轉移到矽基基板上,實現化合物半導體材料絕緣層披覆技術(XOI)。

該團隊利用分子束磊晶技術,把一顆顆銦、鎵堆積在基材上形成一層薄膜,再以黃光微影製程技術形成一個銦化鎵奈米帶。

闕郁倫表示,這種化合物半導體絕緣層披覆技術,可以整合光電及電子元件於矽基材上面,具有不需任何接合處理、增加基材使用率、增加元件操作速度、降低元件功能消耗、元件尺寸奈米化等優點,也成功克服化合物半導體整合矽製程技術問題,是半導體製程的一大突破。

相關網站:
http://www.nature.com/nature/journal/v468/n7321/abs/nature09541.html


資訊來源:
中央廣播電台 2010/11/17
台灣醒報 2010/11/17
聯合新聞網 2010/11/17

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