http://mepopedia.com/forum/list.php?979 Wed, 29 Apr 2026 13:40:01 +0800 Phorum 5.2.7 http://mepopedia.com/forum/read.php?979,20131,20131#msg-20131 http://mepopedia.com/forum/read.php?979,20131,20131#msg-20131
IBM認為，這是現今資料儲存裝置上的一大改進。現今資料儲存裝置需要約100萬個原子儲存一個位元。對注意科技發展動態的人來說，IBM的發現可能意味著記憶體規模有朝一日可能會是現今磁碟機的1/83000。

雖然研究取得突破的IBM研究人員說，不知何時會將研究結果應用在商業上，目前沒有時間表，但顯然IBM將此視為未來發展記憶體的一條途徑，可望打破現今能力所及的儲存模式，大幅降低磁碟機尺寸，同時顯著提高速度和能源效率。

他們的研究結果刊登在「科學」（Science）雜誌上。他們的發現可能有助研發新一類的奈米材料，同時也可能為量子計算研究提供新方向。

史丹福大學（Stanford）磁性奈米科技中心（Center for Magnetic Nanotechnology）主任王善祥（Shan X. Wang）說：「磁性材料極有用處，對許多重要經濟體來說具有策略重要性，但存在的不多。開發出全新材料是非常吸引人的事，在科學上非常重要。」

IBM率領原子級資料儲存研究的海恩瑞希（Andreas Heinrich）告訴科技網站CNET：「我們是這個領域的探險家，從原子出發，打造可能對IBＭ或產業內其他競爭者有用的構造。」

海恩瑞希的研究團隊能把資訊位元儲存在小至12個磁原子上，這意味著科學家未來可能能夠將應用他們所謂的「反鐵磁性」n，讓數據儲存量為現今科技所及程度的100倍。


資料來源：
世界日報 2012年1月14日]]> mepoadm 記憶體 Sun, 26 Feb 2012 15:39:10 +0800 http://mepopedia.com/forum/read.php?979,20052,20052#msg-20052 http://mepopedia.com/forum/read.php?979,20052,20052#msg-20052 歐洲微電子研究中心（imec）
中文翻譯：駐歐盟兼駐比利時代表處科技組

2011年國際電機電子工程學會(IEEE)重要研討會—國際電子元件大會(International Electron Devices Meeting，簡稱IEDM)，歐洲微電子研究中心(imec)發表了一顆最小尺寸(單一單元尺寸小於10奈米乘10奈米)且完整功能之二氧化鉿(HfO2)電阻式隨機存取記憶體(Resistive Random Access Memory，簡稱RRAM)。目前主流的記憶體技術為電容充電儲存式的隨機存取記憶體與快閃記憶體(Charge Storage Based Flash Memory)技術，但這樣的技術可能於18奈米時面臨儲存單元微縮化的艱鉅挑戰甚至是難以突破之物理障礙。為了克服微縮化可能遭遇的瓶頸，許多創新概念的記憶體技術被廣泛地研究，其中包含：鐵電材料隨機存取記憶體(Ferroelectric RAM ，簡稱FeRAM)、磁電阻式隨機存取記憶(Magnetoresistive RAM，簡稱MRAM)、相變化隨機存取記憶體(Phase Change RAM，簡稱PRAM)與電阻式隨機存取記憶體等，這些新式的記憶體有些具備了揮發性動態隨機存取記憶體(DRAM)之快速資料存取的特性與非揮發快閃記憶體(Flash RAM)之小儲存單位面積與大容量的優勢，結合了兩種主要記憶體的特點與優勢，將對未來記憶體的應用與發展產生革命性的影響。其中最具潛力的記憶體技術即是電阻式隨機存取記憶體，利用特殊電阻式電子材料內部電子的轉換使其產生高電阻與低電阻兩個截然不同的狀態，以不同的電阻狀態分辨記憶體儲存單元處於導通或關閉狀態。此外，電阻式隨機存取記憶體相較於其他記憶體技術最大的優勢就是高密度(最小儲存單元面積)與快速的資料存取特點。

這項突破性RRAM的研究成果是imec與主要CMOS計畫合作夥伴，包含：Global Foundry、Intel、Micron、Panasonic、Samsung、TSMC、Elpia、Hynix、Fujitsu與Sony共同提出，這個電阻式隨機存取記憶體的主要特點即是利用鉿/氧化鉿薄膜材料的堆疊架構達到單一儲存單元的尺寸小於10奈米乘10奈米的極小面積，imec相關研究人員進一步提到：對電阻式隨機存取記憶體而言，電阻材料薄膜的結晶性與上層材料的遮光性將對其轉換機制與微縮化產生關鍵性的影響。另外，這個RRAM具有優異的元件操作可靠度，如：抗劣化性(Endurance)大於109週期，並且於低電壓的操作下亦展現優異的性能，如：記憶體的開關狀態轉換時間僅僅只有數奈秒。這個鉿/氧化鉿電阻式隨機存取記憶體的其他特點包含：(1)大電阻轉換範圍、(2)於攝氏200度高溫30小時的測試狀態，仍具有適當的操作特性與電阻開關轉換範圍、(3)低操作功率：每位元轉換能量低於0.1微微焦耳(pico-Joule，簡稱pJ)及遠低於3伏特(Volt)的交流操作電壓。憑藉著以上所述的各項特點，這個鉿/氧化鉿電阻式隨機存取記憶體將成為未來主要的非揮發性記憶體發展之主流趨勢。


更多資訊請洽：
Hanne Degans, External Communications Officer, T: +32 16 28 17 69, Mobile: +32 486 06 51 75, hanne.degans@imec.be]]> HP 記憶體 Wed, 15 Feb 2012 23:07:18 +0800 http://mepopedia.com/forum/read.php?979,19947,19947#msg-19947 http://mepopedia.com/forum/read.php?979,19947,19947#msg-19947
該新材料轉變成磁石時，其磁力27千厄斯特 (kOe) ，為現有光碟材料的9倍，意味記憶容量可提高9倍以上，在光控制素材中擁有最高等級的性能。由於新材料磁性強，即使微粒亦具磁石功能，若將微粒以高密度方式排列，則可成為以光紀錄情報的磁光記憶。此外，若可找出當磁性消失時、以光照射提升溫度的方法，便可僅以光線控制並切換磁性。該研究團隊日後將重新設計材料，短期目標為設定在零下196度時可切換磁性，越接近室溫即越接近實用化，而長期目標則期望10年內在室溫下可操控其性質。]]> HP 記憶體 Fri, 03 Feb 2012 20:38:28 +0800 http://mepopedia.com/forum/read.php?979,19941,19941#msg-19941 http://mepopedia.com/forum/read.php?979,19941,19941#msg-19941
MRAM的基本構造接近DRAM。然透過電容內儲滿的電荷以記憶資料的DRAM，為一切斷電源資料就會消失之揮發性記憶體，故為確保資料需持續供電。而MRAM為一即使切斷電源資料亦不會消失之不揮發性記憶體，因使用磁力來記憶資料，可保持高性能並具有高速讀寫能力。一旦寫入資料，即使電源切斷，資料亦不會消失，待機時的電力可望趨近於零。

所開發之MRAM使用了以磁力來使電阻變化之強磁性的隧道接合（MTJ）元件(element)。此一裝置，乃藉由以兩個強磁性體夾著絕緣膜的構造，在施加電壓後讓電流流經絕緣膜，再以電流值的大小之不同來記憶資料。

半導體係透過基板上之更為微細電路的形成，在提升晶片性能的同時亦抑制消耗電力。目前先端製品的電路線幅已突進至20奈米。但若要進入10幾奈米，恐需開發次世代的製品。大野研究室的MRAM，在資料的改寫上不使用磁界，而是開發出了只藉由電流的流通來改變MTJ元件之磁化方向的元件，並讓線幅即使細微化到40奈米，仍可進行資料的改寫。原先最大的弱點為記憶容量，現已提高到1gigabit以上。

本計畫為內閣府之最先端研究開發支援計畫(09-13年)。NEC等和大野研究室已在11年起於筑波市的TIA之無塵室內著手進行量產技術的開發。]]> HP 記憶體 Fri, 03 Feb 2012 20:31:47 +0800