[資訊] è‹±ç‰¹çˆ¾æ‰¾å·¥ç ”é™¢ åˆä½œæ–°è¨˜æ†¶é«”(
英文版)
《ä¸å¤®ç¤¾ã€‹ï¼ˆ2011/12/06ï¼‰è‹±ç‰¹çˆ¾æ‰¾å·¥ç ”é™¢åˆä½œï¼Œ5 年內開發新記憶體技術,新技術éžè£½ç¨‹é ˜å…ˆå°Žå‘,是尋求å¯åŠ å¿«é‹ç®—且çœé›»çš„æ–°è¨˜æ†¶é«”æž¶æ§‹ï¼Œè¨ˆç•«ç”±è‹±ç‰¹çˆ¾ã€ å·¥ç ”é™¢ã€ç¶“濟部技術處å„投入500è¬ç¾Žå…ƒè³‡é‡‘。
英特爾副總è£æš¨æŠ€è¡“長賈斯汀 瑞特ç´ï¼ˆJustin Rattner)來臺宣布,在未來5年間,英特爾æ供資金與資æºç¸½å€¼500è¬ç¾Žå…ƒå”助開發超快速且具電æºæ•ˆç›Šçš„æ–° 記憶體技術;新的記憶體技術會應用在包括超輕薄ç†é›» (Ultrabook)ã€å¹³æ¿é›»è…¦ã€æ™ºæ…§æ‰‹æ©Ÿç‰è¡Œå‹•è£ç½®ã€ç™¾è¬å…†ç´šèˆ‡è¶…大雲端資料ä¸å¿ƒã€‚
å·¥æ¥æŠ€è¡“ç ”ç©¶é™¢è³‡è¨Šèˆ‡é€šè¨Šç ”ç©¶æ‰€æ‰€é•·å³èª 文表示 ï¼Œé€™é …å…±åŒæŠ•å…¥çš„新記憶體技術ä¸æ˜¯è£½ç¨‹ä¸Š20奈米ã€10 å¹¾å¥ˆç±³é‚£ç¨®è£½é€ ä¸ŠæŠ€è¡“ï¼ŒæŒ‡çš„æ˜¯è¨˜æ†¶é«”çš„æ–°æž¶æ§‹å°‹æ‰¾ï¼›ä¸”æœªä¾†ä¸åªæ˜¯å‹•æ…‹éš¨æ©Ÿå˜å–記憶體(DRAM),包括快閃記憶體(Flash)都å¯èƒ½å¯ä»¥åˆ©ç”¨é€™å€‹æ–°æŠ€è¡“。
å³èª 文說,新的記憶體將ä¸å†æ˜¯è·Ÿåœ‹å¤–å» å•†çˆè£½ç¨‹çš„先進程度,而是強調新的記憶體「架構ã€çš„é ˜å…ˆï¼Œæ‰¾ 出一個新世代處ç†å™¨çµåˆçš„æ–¹å¼ï¼Œä¹‹å¾Œå°±ä¸ä¸€å®šè¦ä»°è³´éžå¸¸é«˜çš„投資é¡åŽ»è²·è¨å‚™ï¼Œæ–°æž¶æ§‹åˆ©ç”¨ç¾æœ‰çš„製程就å¯ä»¥åšã€‚
ç›®å‰å·¥ç ”院與英特爾雙方的åˆä½œæ˜¯æŠ€è¡“åˆä½œé–‹ç™¼ï¼Œä¸¦éžç”Ÿæ„上åˆä½œï¼›è€Œè‹±ç‰¹çˆ¾æœƒä¾†è‡ºç£æ‰¾ä¸Šå·¥ç ”é™¢ï¼Œæ˜¯å› ç‚ºè‡ºç£æœ‰ä¸€å€‹å®Œæ•´çš„åŠå°Žé«”產æ¥éˆåœ¨ã€‚
«é–ƒè¨˜æ†¶é«”(Flash)都å¯èƒ½å¯ä»¥åˆ©ç”¨é€™å€‹æ–°æŠ€è¡“。
å³èª 文說,新的記憶體將ä¸å†æ˜¯è·Ÿåœ‹å¤–å» å•†çˆè£½ç¨‹çš„先進程度,而是強調新的記憶體「架構ã€çš„é ˜å…ˆï¼Œæ‰¾å‡ºä¸€å€‹æ–°ä¸–ä»£è™•ç†å™¨çµåˆçš„æ–¹å¼ï¼Œä¹‹å¾Œå°±ä¸ä¸€å®šè¦ä»°è³´éžå¸¸é«˜çš„投資é¡åŽ»è²·è¨å‚™ï¼Œæ–°æž¶æ§‹åˆ©ç”¨ç¾æœ‰çš„製程就å¯ä»¥åšã€‚
ç›®å‰å·¥ç ”院與英特爾雙方的åˆä½œæ˜¯æŠ€è¡“åˆä½œé–‹ç™¼ï¼Œä¸¦éžç”Ÿæ„上åˆä½œï¼›è€Œè‹±ç‰¹çˆ¾æœƒä¾†è‡ºç£æ‰¾ä¸Šå·¥ç ”é™¢ï¼Œæ˜¯å› ç‚ºè‡ºç£æœ‰ä¸€å€‹å®Œæ•´çš„åŠå°Žé«”產æ¥éˆåœ¨ã€‚
é 料有æ„願åƒèˆ‡çš„æ¥è€…有å¯èƒ½æ˜¯ICè¨è¨ˆå» 商,也å¯èƒ½æ˜¯æ™¶åœ“è£½é€ å…¬å¸ï¼Œå·¥ç ”院會å”調臺ç£ç”¢æ¥ç•Œï¼Œé¼“勵åŠæ—©æŠ•å…¥ã€åŒæ¥é€²è¡Œï¼Œä»¥ä¾¿å°‡ä¾†æŠ€è¡“完æˆå¾Œï¼Œå¯ä»¥çœåŽ»é©—è‰çš„時間。
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