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Message: [資訊] 英特爾找工研院 åˆä½œæ–°è¨˜æ†¶é«”

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Change Date: December 07, 2011 10:05PM

[資訊] 英特爾找工研院 åˆä½œæ–°è¨˜æ†¶é«”

Original Message

作者: apophasis
Date: December 07, 2011 10:00PM

[資訊] 英特爾找工研院 åˆä½œæ–°è¨˜æ†¶é«”
[資訊] 英特爾找工研院 åˆä½œæ–°è¨˜æ†¶é«”(英文版)

《中央社》(2011/12/06)英特爾找工研院åˆä½œï¼Œ5 年內開發新記憶體技術,新技術éžè£½ç¨‹é ˜å…ˆå°Žå‘,是尋求å¯åŠ å¿«é‹ç®—且çœé›»çš„新記憶體架構,計畫由英特爾〠工研院ã€ç¶“濟部技術處å„投入500è¬ç¾Žå…ƒè³‡é‡‘。

英特爾副總è£æš¨æŠ€è¡“長賈斯汀 瑞特ç´ï¼ˆJustin Rattner)來臺宣布,在未來5年間,英特爾æ供資金與資æºç¸½å€¼500è¬ç¾Žå…ƒå”助開發超快速且具電æºæ•ˆç›Šçš„æ–° 記憶體技術;新的記憶體技術會應用在包括超輕薄筆電 (Ultrabook)ã€å¹³æ¿é›»è…¦ã€æ™ºæ…§æ‰‹æ©Ÿç­‰è¡Œå‹•è£ç½®ã€ç™¾è¬å…†ç´šèˆ‡è¶…大雲端資料中心。

工業技術研究院資訊與通訊研究所所長å³èª æ–‡è¡¨ç¤º ,這項共åŒæŠ•å…¥çš„新記憶體技術ä¸æ˜¯è£½ç¨‹ä¸Š20奈米ã€10 幾奈米那種製造上技術,指的是記憶體的新架構尋找;且未來ä¸åªæ˜¯å‹•æ…‹éš¨æ©Ÿå­˜å–記憶體(DRAM),包括快閃記憶體(Flash)都å¯èƒ½å¯ä»¥åˆ©ç”¨é€™å€‹æ–°æŠ€è¡“。

å³èª æ–‡èªªï¼Œæ–°çš„記憶體將ä¸å†æ˜¯è·Ÿåœ‹å¤–廠商爭製程的先進程度,而是強調新的記憶體「架構ã€çš„領先,找 出一個新世代處ç†å™¨çµåˆçš„æ–¹å¼ï¼Œä¹‹å¾Œå°±ä¸ä¸€å®šè¦ä»°è³´éžå¸¸é«˜çš„投資é¡åŽ»è²·è¨­å‚™ï¼Œæ–°æž¶æ§‹åˆ©ç”¨ç¾æœ‰çš„製程就å¯ä»¥åšã€‚

ç›®å‰å·¥ç ”院與英特爾雙方的åˆä½œæ˜¯æŠ€è¡“åˆä½œé–‹ç™¼ï¼Œä¸¦éžç”Ÿæ„上åˆä½œï¼›è€Œè‹±ç‰¹çˆ¾æœƒä¾†è‡ºç£æ‰¾ä¸Šå·¥ç ”院,是因 為臺ç£æœ‰ä¸€å€‹å®Œæ•´çš„åŠå°Žé«”產業éˆåœ¨ã€‚
«é–ƒè¨˜æ†¶é«”(Flash)都å¯èƒ½å¯ä»¥åˆ©ç”¨é€™å€‹æ–°æŠ€è¡“。

å³èª æ–‡èªªï¼Œæ–°çš„記憶體將ä¸å†æ˜¯è·Ÿåœ‹å¤–廠商爭製程的先進程度,而是強調新的記憶體「架構ã€çš„領先,找出一個新世代處ç†å™¨çµåˆçš„æ–¹å¼ï¼Œä¹‹å¾Œå°±ä¸ä¸€å®šè¦ä»°è³´éžå¸¸é«˜çš„投資é¡åŽ»è²·è¨­å‚™ï¼Œæ–°æž¶æ§‹åˆ©ç”¨ç¾æœ‰çš„製程就å¯ä»¥åšã€‚

ç›®å‰å·¥ç ”院與英特爾雙方的åˆä½œæ˜¯æŠ€è¡“åˆä½œé–‹ç™¼ï¼Œä¸¦éžç”Ÿæ„上åˆä½œï¼›è€Œè‹±ç‰¹çˆ¾æœƒä¾†è‡ºç£æ‰¾ä¸Šå·¥ç ”院,是因為臺ç£æœ‰ä¸€å€‹å®Œæ•´çš„åŠå°Žé«”產業éˆåœ¨ã€‚

é æ–™æœ‰æ„願åƒèˆ‡çš„業者有å¯èƒ½æ˜¯IC設計廠商,也å¯èƒ½æ˜¯æ™¶åœ“製造公å¸ï¼Œå·¥ç ”院會å”調臺ç£ç”¢æ¥­ç•Œï¼Œé¼“勵åŠæ—©æŠ•å…¥ã€åŒæ­¥é€²è¡Œï¼Œä»¥ä¾¿å°‡ä¾†æŠ€è¡“完æˆå¾Œï¼Œå¯ä»¥çœåŽ»é©—證的時間。


深入資訊:
中央社 2011/12/06